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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
3000
1000
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
500
100
175 C
-55 C
25 C
100
10
5.5 V
5.0 V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.2
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
3
4
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7 8
9
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.04
0.03
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
175 C
25 C
0.02
0.01
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.00
0
50
100 150 200 250 300
I D , Drain Current [A]
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
7000
5600
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 25V
V DS = 50V
V DS = 80V
4200
*Note:
6
2800
1400
C oss
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D =74A
20 40 60
Q g , Total Gate Charge [nC]
80
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB120N10 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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